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主頁 ? 產(chǎn)品中心 ? 分立器件 ? SIC MOSFET ?
碳化硅為機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定度、化學(xué)穩(wěn)定度皆非常優(yōu)異的化合物半導(dǎo)體,其莫氏硬度為9,熔點(diǎn)2830°C, 只能以600°C 純KOH溶液蝕刻。碳化硅極高的3.26eV能隙對(duì)比起硅的1.12eV ,使碳化硅擁有耐壓、高效、穩(wěn)定、散熱等優(yōu)勢(shì)。
Fast SiC semiconductor lnc.即思創(chuàng)意股份有限公司專注于sic功率組件之無晶圓廠設(shè)計(jì)公司,主要提供有650V~1700V之SiC MOSFET與SiC二極管,目前唯一將SIC MOSFET設(shè)計(jì)可符合常規(guī)之12v硅基閘極驅(qū)動(dòng)器使用。現(xiàn)時(shí)碳化硅主要應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)于高功率電源市場(chǎng)以及極端環(huán)境下的各式應(yīng)用中。
Product No. Drain-source?Voltage[V] Drain-source?On-state?Resistance(Typ.)?[mΩ] Package PDF下載
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FF06320A 650 320 DPAK(MSL 1)? 暫無
FL06320A 650 320 DPAK(MSL 1) 暫無
FF06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暫無
FL06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暫無
FL06320G 650 320 DFN8x8 暫無
FF061K4 650 1400 DPAK(MSL 1) 暫無
FF12040F 1200 40 TO-247-3L 暫無
FF12040Q 1200 40 TO-247-4L 暫無
FL12190A 1200 190 DPAK(MSL 1) 暫無
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FL12190I 1200 190 SOIC-8 暫無
FF17900E 1700 900 TO-247-3L 暫無
FF17900Q 1700 900 TO-247-4L 暫無
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